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本小节介绍了纳米热电材料中的量子限域效应，比腾材料维度与态密度之间的关系，比腾热电量子点的基本概念、合成原理和方法、常用表征手段，量子点尺寸与实测带隙值之间的关系，热电块体材料中的量子点夹杂/析出相，基于量子点制造的柔性热电器件及其实测性能，以及理论计算的量子点热电器件设计。讯老要点37：传统热电器件及设计思路设计高性能多维度热电材料的最终目的是提高热电器件的服役性能。

具有非公度结构的热电材料，干妈其结构会在沿着特定方向上失去平移对称性，一般与材料中的超结构具有紧密的关系。本小节讨论了氧化行为的诱因，事件延缓氧化的新型隔离技术，去氧化制备技术对材料热电性能的影响，以及氧化对某些特殊热电材料所起到的正面作用。通过计算得知，还离对于大多数高性能半导体热电材料来说，还离塞贝克系数调控至203 μV K-1与230 μVK-1之间可以被视为一个黄金范围，以实现热电优值的最优化。

图12 利用球差矫正高分辨透射电镜表征Ba8Cu14Ge6P26笼型化合物，真正战利用基于球差矫正透射电镜的超高分辨能谱来辨别Ce0.91Fe3.40Co0.59Sb12.14填充方钴矿中每种元素的原子位置，真正战组分变化对CoSb3基填充方钴矿热电性能的影响，利用扫描隧道显微镜表征硫化锡-硒化锡固溶体中的硫/硒分布情况，利用球差矫正高分辨透射电镜表征碲化锑-碲化锗固溶体的局域型晶格畸变，改变碲化锑-碲化锗固溶体中的碲化锗组分对固溶体热电性能的影响，利用球差矫正高分辨透射电镜表征钠掺杂硒化锡晶体中钠的间隙位掺杂，锰掺杂碲化锡中锰的间隙位掺杂以及其造成的晶格应力，以及锰的间隙位掺杂对碲化锡热电性能的影响。图26 微波辅助溶剂热法制备的碲化铋六角纳米片，比腾溶剂热法合成的硒化铜六角纳米片及以其为原材料进行烧结制备的多晶块体的热电性能，比腾利用化学气相沉积法制备的碲化锡微米板，利用卧式炉生长的砷化镉微米板及其实测载流子浓度和迁移率，利用熔融法和球磨法制备的二硒化锡六角纳米片，将硒化铋六纳米片与有机材料（PVDF）复合制备柔性热电薄膜以及其实测柔韧性和功率因子。

邹进教授（共同通讯作者）现任澳大利亚昆士兰大学的纳米科学讲席教授（ChairinNanoscience），讯老曾任澳大利亚电子显微学会秘书长，讯老及澳大利亚昆士兰华人工程师与科学家协会副会长。

图16 利用化学镀法制备铋锑碲晶粒表面的铜镀层，干妈铅过量掺杂导致的碲化锗块体中富锗相与富铅相之间的特殊相界面，干妈10%的锑与硒/硫共掺碲化锗合金化后的固溶体热电性能的提升，熔融法形成的银过量掺杂的硒化锡与Ag8SnSe6析出相之间的平滑相界面，硫化铅-碲化铅固溶体中超过固溶度而形成的相界面以及其附近的刃型位错，在硫化铅-碲化铅固溶体的基础上继续固溶不同组分的钾后热电性能的变化，溶剂热法形成的铟过量掺杂的碲化锡与碲化铟析出相之间的连贯相界面，镱填充的CoSb3方钴矿与20%的锑合金化后产生的高粗糙度相界面以及其附近埋藏的大量刃型位错，以及20%的锑合金化对镱填充的CoSb3方钴矿热电性能的提升。本月初，事件小米电视SPro上新65和75英寸两款新品，主打MiniLED千级分区，预售价4999元起。

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